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Título : REACCIONES DE FOTO OXIDACION CATALIZADAS POR COMPLEJOS DEL TIPO DIOXO-MO(VI) ANCLADOS EN TIO2
Autor : Paez Martinez, Carlos Alberto
Asesor Académico: Paez Mozo, Edgar
Martinez Ortega, Fernando
Fecha publicación : 24-ene-2013
Tipo: Trabajo de Grado
Editorial: Universidad Industrial de Santander
Facultad: Facultad de Ciencias
Departamento: Escuela de Química
Programa: Maestría en Química
Año: 2004
Palabras Clave : CICLOHEXENO
MOLIBDENO
UV/VIS
TIO2
OXOTRANSFERENCIA
Resumen: La capacidad de los complejos MoVIO2(L)4 (L = SCN y ácido nicotínico), libres y anclados sobre TiO2, de transferir un átomo de oxígeno a sustratos orgánicos se estudió por medio de la oxidación de la trifenilfosfina. La oxotransferencia se evaluó por la conversión del centro dioxo-MoVI en oxo-MoIV obteniendo rendimientos entre el 65 y 78 %, para los sistemas libres, y de 42 al 46% para los sistemas anclados. Así mismo, la capacidad oxoaceptora de los sistemas oxomolibdeno (IV) se determinó por medio de la reducción del DMSO. Un incremento significativo en la velocidad de transferencia de oxígeno del DMSO al centro de MoIV se presentó cuando los sistemas se irradiaron con ( > 380 nm sugiriendo su fotoactividad. La reducción estequiométrica del oxodonor por los sistemas anclados de MoIV sobre la matriz semiconductora manifiesta la posible participación del TiO2 en la transferencia de carga hacia el DMSO, convirtiéndolo en una especie mucho más efectiva en estos procesos. De igual forma, se estudiaron las propiedades de oxotransferencia en la fotooxidación del ciclohexeno. Los complejos libres no mostraron fotoactividad; sin embargo, al estar anclados sobre el TiO2 se incrementó la transformación del ciclohexeno, determinándose conversiones entre el 7% y 12%. La selectividad del TiO2 fue del 100% hacia la formación del epóxido. En contraste, para MoVIO2(SCN.)4/TiO2 y MoVIO2(ac.nic.)4/TiO2 la formación del 2-ciclohexen-1-ol fue del 85% y 100%, respectivamente. Estos resultados indican que, presumiblemente, existe un efecto de cooperación entre los complejos libres y el semiconductor al ser irradiados.
URI : http://hdl.handle.net/123456789/7401
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