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Título : CALCULO DE LOS NIVELES ASOCIADOS A UNA DONADORA CERCANA A UNA INTERFASE DE Si/SiO2
Autor : Rodriguez Moreno, Elber
Asesor Académico: Beltran Rios, Carlos Leonardo
Fecha publicación : 18-dic-2012
Tipo: Trabajo de Grado
Editorial: Universidad Industrial de Santander
Facultad: Facultad de Ciencias
Departamento: Escuela de Física
Programa: Física
Año: 2009
Palabras Clave : DONADORA
ENERG´IA DE ENLACE
ESPECTRO ENERG´ETICO
BARRIDO
Resumen: : En el siguiente trabajo se analizo los niveles de energ´?a asociados a una donadora cerca de una interfase de Si/SiO2. El an´alisis se ejecuto en el esquema de aproximaci´on de la masa efectiva y los c´alculos se realizaron mediante procedimientos num´ericos y computacionales para resolver el problema de Schr¨odinger, mediante el principio variacional de Schr¨odinger. En particular se estudio el comportamiento del nivel base en la presencia de un campo el´ectrico constante en la direcci´on perpendicular a la interfase. Este sistema debido a que la interfase se puede modelar mediante un potencial con confinamiento infinito y al aplicar un campo el´ectrico se genera un sistema de doble pozo con el potencial de la impureza donadora. Se encontr´o una dependencia del potencial efectivo con el campo el´ectrico aplicado y la distancia entre la interfase de Si/SiO2 y la impureza donadora, haciendo que el pozo de potencial sea menos profundo cuando se aleja la impureza de la interfase y el campo el´ectrico aumenta. Tambi´en se encontr´o una dependencia de la energ´?a de enlace y el campo el´ectrico aplicado, como de la distancia entre la impureza donadora y la interfase, haciendo que estos niveles de energ´?a suban a medida que los valores de campo y distancia aumentan. Proyecto de Grado Facultad de Ciencias, Escuela de F´?sica, Carlos Leonardo Beltr´an R´?os (Director)
URI : http://hdl.handle.net/123456789/298
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